磁阻內存（MRAM）技術將數據存儲時間增至20年

來源:威鋒網 2014-01-02 09:55 http://www.e95599.cn/ 海峽都市報電子版

[摘要]目前，很多設備使用的靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和閃存等都各有自己的優(yōu)缺點。比如 SRAM 存儲速度快但是不穩(wěn)定，這意味著電源被切斷時，存儲的數據會丟失。MRAM 技術則融合了這三種存儲的優(yōu)點，而去掉了它們的缺點。

　　早在2005年，物理學教授Johan Åkerman已經提出了磁阻內存（magnetoresistive random access memory，MRAM）是一個具有發(fā)展前景的“通用存儲器”。那些通常附在現代電子設備中的各式存儲器均可以使用通用存儲器替代。新加坡國立大學（National University of Singapore，NUS）的一個研究團隊和沙特阿拉伯的阿卜杜拉國王科技大學（King Abdullah University of Science and Technology，KAUST）現在已經開發(fā)了一種新型的MRAM，使Åkerman的愿望變成現實。

　　目前，很多設備使用的靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和閃存等都各有自己的優(yōu)缺點。比如SRAM存儲速度快但是不穩(wěn)定，這意味著電源被切斷時，存儲的數據會丟失。MRAM技術則融合了這三種存儲的優(yōu)點，而去掉了它們的缺點。它提供更大的存儲密度，但是降低了能源損耗，而且即使電源被切斷，它也可以保存數據。毫無疑問，它的價格也更貴。

　　現在使用的MRAM技術是由兩個鐵磁板形成的磁存儲元件來存儲數據，這兩個鐵磁板被一層薄薄的絕緣層分隔開。但是這些厚度小于1納米的絕緣層很難制造可靠性，因此也對MRAM的可靠性造成了影響，因此存儲器中的數據保存時間少于一年。

　　該研究團隊開發(fā)的磁阻內存使用一種與磁的多層結構結合的膜結構替代了磁鐵板，這些膜結構有20納米厚。研究員稱，這項技術使得數據可以保存至少20年時間，這樣為下一代MRAM芯片的廣泛應用提供了可能性。

　　帶領整個團隊的YangHyunsoo稱，從消費者的角度看，他們的開機速度將非常快了。存儲空間增加，內存將提高，用戶不必經常使用“保存”按鈕來刷新數據了。使用較大存儲器的設備能保存數據至少20年或者更多的時間。現在人們較多依賴于移動設備，因此幾乎每天都要給它們充電，但是如果這些設備使用這項技術的話，可能每周只需充電一次就可以了。

　　研究員相信這項重大突破將改變計算機架構，使生產成本更低。他們計劃將這項新結構應用于存儲單元中，希望能開發(fā)出一種“軌道自旋的扭矩為基礎的MRAM”。